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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4768PBF, 93 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP4768PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7020
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK40E10N1,S1X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  TK40E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5144
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40E10N1,S1X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  TK40E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2388
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL7762PBF, 85 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFSL7762PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5101
  
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• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTA4N65X2, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  IXTA4N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1489
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN6R5-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN6R5-80PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8128
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLHM620TR2PBF, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLHM620TR2PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  760-4410
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK40A10N1,S4X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  TK40A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5141
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R380E6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP65R380E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7605
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R380E6, 10.6 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA65R380E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2906
  
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• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTY4N65X2, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  IXTY4N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1473
  
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• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFB38N100Q2, 38 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS264封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFB38N100Q2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5336
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLHM620TRPBF, 26 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLHM620TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7243
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDC602P, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  FDC602P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9030
  
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• Panasonic P沟道 MOSFET 晶体管 FL6L52010L, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 WSSMini6-F1封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  FL6L52010L
  品牌：
  Panasonic
  库存编号：
  760-2940
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN1150UFB-7B, 1.4 A, Vds=12 V, 3引脚 X1-DFN1006封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  DMN1150UFB-7B
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  790-4583
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN6R5-80PS, 100 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  PSMN6R5-80PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-3019
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40E10N1,S1X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  TK40E10N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6220
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40A10N1,S4X(S, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  TK40A10N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6227
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8840NZ, 18.6 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  FDS8840NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8717
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7762PBF, 85 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFS7762PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4212
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7762PBF, 85 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFS7762PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3369
  
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• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP4N65X2, 4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 57 ns,
• 制造商零件编号：
  IXTP4N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1485
  
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