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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBF20PBF, 1.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFBF20PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9541
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4127PBF, 72 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFS4127PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7096
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB80P06P G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  SPB80P06P G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3166
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQJ460EP-T1-GE3, 32 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  SQJ460EP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9490
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R074C6, 58 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP60R074C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7563
  
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• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH62N65X2, 62 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  IXTH62N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1417
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4127PBF, 76 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFB4127PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6936
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSS83P, 330 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS83P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2857
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL36N55M5, 22 A, Vds=600 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  STL36N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3113
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58E06N1, 105 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  TK58E06N1
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  796-5106
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 105 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  TK58A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5166
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S2-04, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP80N04S2-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6968
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  TK58A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2401
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STL12N60M2, 6.5 A, Vds=600 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  STL12N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  906-2849
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPP80P06PH, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  SPP80P06PHXKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  914-0194
  
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• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK52N60Q2, 52 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264AA封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  IXFK52N60Q2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  711-5402
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC016N04LS G, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC016N04LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5222
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP36N55M5, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  STP36N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2964
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP030N06B_F102, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  FDP030N06B_F102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8524
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD048N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  IPD048N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-2896
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL36N55M5, 22 A, Vds=600 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  STL36N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8714
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7739L2TR1PBF, 270 A, Vds=40 V, 11引脚 DirectFET L8封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF7739L2TR1PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  716-5378
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK58A06N1,S4X(S, 58 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  TK58A06N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6249
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052N06L3G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  IPP052N06L3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6842
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R380E6, 10.6 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型关断延迟时间 56 ns,
• 制造商零件编号：
  IPA60R380E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8602
  
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