规格:典型关断延迟时间 64 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP8860, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
FDP8860
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4865
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
IPP037N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5487
查看其他仓库
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTMS4177PR2G, 11.4 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
NTMS4177PR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-4723
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
TK42A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5148
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
FCP190N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-5065
查看其他仓库
Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
IPD65R600E6
品牌:
Infineon
库存编号:
823-5591
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF190N60, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
FCPF190N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7913
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42E12N1,S1X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
TK42E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2385
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB034N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
IPB034N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7419
搜索
Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
IPP65R600E6
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7608
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB40NF10LT4, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
STB40NF10LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5162
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4668PBF, 130 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
IRFP4668PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7027
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPA03N60C3, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
SPA03N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3138
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FCD380N60E, 10.2 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
FCD380N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1137
搜索
Panasonic SK 系列 Si N沟道 MOSFET SK8603150L, 89 A, Vds=30 V, 8引脚 HSO8-F4-B封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
SK8603150L
品牌:
Panasonic
库存编号:
787-7649
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N06L3G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
IPD031N06L3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9162
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPD03N60C3, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
SPD03N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9389
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCP190N60_GF102, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
FCP190N60_GF102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7900
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 42 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
TK42A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2381
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STP40NF10L, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
STP40NF10L
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2290
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDMA1023PZ, 3.7 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
FDMA1023PZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6213
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB015N04N G, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
IPB015N04N G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5418
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP380N60E, 10.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
FCP380N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9109
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF380N60E, 10.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
FCPF380N60E
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9115
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP015N04NGXKSA1, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型关断延迟时间 64 ns,
制造商零件编号:
IPP015N04NGXKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6827
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