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• NXP 双 Si N沟道 MOSFET PHKD6N02LT,518, 10.9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  PHKD6N02LT,518
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  509-510
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS6890A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  FDS6890A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0633
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6898A, 9.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  FDS6898A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0646
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET PMF370XN,115, 870 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  PMF370XN,115
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8382
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML6244TRPBF, 6.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  IRLML6244TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7228
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH6200TR2PBF, 45 A, Vds=20 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  IRFH6200TR2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7284
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6401N, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  FDC6401N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0852
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA923EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  SIA923EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1244
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMR290UNE, 700 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  PMR290UNE
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  816-6919
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6898AZ_F085, 9.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  FDS6898AZ_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8701
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET FDC6420C, 2.2 A，3 A, Vds=20 V, 6引脚 SSOT封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  FDC6420C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4147
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMG3418L-7, 4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  DMG3418L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1035
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN2022UFDF-7, 9.4 A, Vds=20 V, 6引脚 UDFN封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  DMN2022UFDF-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1063
  
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• DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN2023UCB4-7, 6 A, Vds=24 V, 4引脚 X1-WLB封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  DMN2023UCB4-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1066
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMT5015LFDF-7, 11.5 A, Vds=50 V, 6引脚 UDFN封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  DMT5015LFDF-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1164
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET NDS331N, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  NDS331N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1078
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR6225PBF, 100 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  IRLR6225PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7293
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDFME3N311ZT, 1.8 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  FDFME3N311ZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9493
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL6342PBF, 9.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  IRL6342PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4413
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRL6372PBF, 8.1 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  IRL6372PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4416
  
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• STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL100N1VH5, 100 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  STL100N1VH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9635
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI7655DN-T1-GE3, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  SI7655DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9257
  
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• NXP Si P沟道 MOSFET PMR670UPE, 480 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-416封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  PMR670UPE
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  798-2776
  
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• ON Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET EFC4615R-TR, 6 A, Vds=24 V, 4引脚 EFCP封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  EFC4615R-TR
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0875
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA921EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.5V,
• 制造商零件编号：
  SIA921EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1235
  
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