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• NXP Si N沟道 MOSFET 2N7002P, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  2N7002P
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8114
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002BK, 350 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  2N7002BK
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  781-6691
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  SIRA02DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9361
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  SIRA00DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9367
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  SIRA04DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9370
  
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• Nexperia Si P沟道 MOSFET BSS84AK, 180 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  BSS84AK
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0908
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3660AS, 56 A，130 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  FDMS3660AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8363
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3012LPS-13, 13.2 A, Vds=30 V, 8引脚 POWERDI5060封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  DMP3012LPS-13
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1145
  
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• Fairchild Semiconductor 双 N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS3606AS, 60 A, 148 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  FDMS3606AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9617
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7650DC, 289 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  FDMS7650DC
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5911
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3660S, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  FDMS3660S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1174
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002PS, 320 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  2N7002PS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  781-6708
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA06DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  SIRA06DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9373
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA12DP-T1-GE3, 25 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  SIRA12DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9386
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA10DN-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  SISA10DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9409
  
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• Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002BKV, 340 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-666封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  2N7002BKV
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0756
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002P, 360 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  2N7002P
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0765
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17507Q5A, 65 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  CSD17507Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4855
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA04DN-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  SISA04DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9307
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDMS3686S, 13 A，23 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  FDMS3686S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9183
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET 2N7002PW, 310 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  2N7002PW
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  780-5348
  
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• Nexperia 双 Si N沟道 MOSFET 2N7002BKS, 300 mA, Vds=60 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  2N7002BKS
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  781-6701
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA10DP-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  SIRA10DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9377
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA14DP-T1-GE3, 58 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  SIRA14DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9389
  
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• Nexperia Si P沟道 MOSFET BSS84AKW, 150 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.1V,
• 制造商零件编号：
  BSS84AKW
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  792-0910
  
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