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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 2N6661-E3, 900 mA, Vds=90 V, 3引脚 TO-205AD封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.8V,
• 制造商零件编号：
  2N6661-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-2841
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3446ADV-T1-E3, 5.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.8V,
• 制造商零件编号：
  SI3446ADV-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3291
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET 晶体管 SI4906DY-T1-E3, 5.3 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.8V,
• 制造商零件编号：
  SI4906DY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3367
  
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• Vishay N沟道 MOSFET SI4800BDY-T1-E3, 6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.8V,
• 制造商零件编号：
  SI4800BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3351
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET TN2404K-T1-GE3, 300 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.8V,
• 制造商零件编号：
  TN2404K-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7647
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI4567DY-T1-E3, 4.4 A, 5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.8V,
• 制造商零件编号：
  SI4567DY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3349
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI4564DY-T1-GE3, 7.2 A，8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.8V,
• 制造商零件编号：
  SI4564DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3230
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUD50N02-06P-E3, 50 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.8V,
• 制造商零件编号：
  SUD50N02-06P-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7467
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET TN2404K-T1-GE3, 300 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.8V,
• 制造商零件编号：
  TN2404K-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4347
  
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