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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI4116DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3317
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI9933CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3395
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si1308EDL-T1-GE3, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  Si1308EDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9121
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI1469DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI1469DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3081
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIA449DJ-T1-GE3, 10.4 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SIA449DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1213
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIB452DK-T1-GE3, 670 mA, Vds=190 V, 6引脚 SC-75封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SIB452DK-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1253
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI5513CDC-T1-GE3, 3 A，3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI5513CDC-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1330
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI6968BEDQ-T1-GE3, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI6968BEDQ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1374
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI8487DB-T1-E1, 6.2 A, Vds=30 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI8487DB-T1-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1429
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI4116DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0272
  
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• Vishay 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管 SI4500BDY-T1-E3, 3.8 A, 6.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI4500BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3342
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI3442CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9226
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIR401DP-T1-GE3, 50 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SIR401DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9342
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI1069X-T1-GE3, 750 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-89封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI1069X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3047
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si1416EDH-T1-GE3, 3.9 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  Si1416EDH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3063
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI1553CDL-T1-GE3, 400 mA，700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI1553CDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3094
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI4511DY-T1-GE3, 3.7 A，7.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI4511DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3221
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4666DY-T1-GE3, 16.5 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI4666DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3249
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI3900DV-T1-GE3, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI3900DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4277
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI3442BDV-T1-E3, 3 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI3442BDV-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3288
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI1403CDL-T1-GE3, 1.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI1403CDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9125
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIB406EDK-T1-GE3, 5.1 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-75封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SIB406EDK-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1247
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI4823DY-T1-GE3, 3.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI4823DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1283
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI5471DC-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI5471DC-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1328
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si1416EDH-T1-GE3, 3.9 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最小栅阈值电压 0.6V,
• 制造商零件编号：
  SI1416EDH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4264
  
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