规格:最小栅阈值电压 0.65V,
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半导体
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
NXP P沟道 Si MOSFET PMF170XP, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
PMF170XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8120
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDV303N, 680 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDV303N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4890
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDC6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDC6301N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0155
搜索
Fairchild Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET FDG6322C, 220 mA,410 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDG6322C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0183
搜索
Fairchild Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET FDG6318PZ, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDG6318PZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3419
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDV304P, 460 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDV304P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4913
搜索
Fairchild Semiconductor 双 Si N/P沟道 MOSFET FDC6321C, 460 mA,680 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDC6321C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4985
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDG8850NZ, 750 mA, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDG8850NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0362
搜索
Fairchild Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET FDG8842CZ, 410 mA,750 mA, Vds=25 V,30 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDG8842CZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0368
搜索
Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDG6301N, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDG6301N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0170
搜索
Fairchild Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET FDG6318P, 500 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDG6318P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-1738
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Texas Instruments FemtoFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13381F4T, 2.1 A, Vds=12 V, 3引脚 PICOSTAR封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
CSD13381F4T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
823-9231
搜索
Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17483F4T, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
CSD17483F4T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
823-9243
搜索
Texas Instruments FemtoFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 CSD17483F4, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
CSD17483F4
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4846
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDV302P, 120 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDV302P
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4935
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDY100PZ, 350 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDY100PZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0839
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Nexperia Si N沟道 MOSFET PMV56XN,215, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
PMV56XN,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8332
搜索
Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13303W1015, 3.5 A, Vds=12 V, 6引脚 DSBGA封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
CSD13303W1015
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4675
搜索
Texas Instruments FemtoFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17381F4, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 PICOSTAR封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
CSD17381F4
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4842
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Fairchild Semiconductor 双 N沟道 Si MOSFET FDG6301N_F085, 220 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDG6301N_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8146
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DiodesZetex P沟道 Si MOSFET DMP213DUFA-7B, 166 A, Vds=25 V, 3引脚 X2-DFN0806封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
DMP213DUFA-7B
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1142
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDC6303N, 680 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDC6303N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
354-4941
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Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDG6303N, 500 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDG6303N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-0189
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Nexperia P沟道 Si MOSFET PMF170XP, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
PMF170XP
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2757
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDG313N, 950 mA, Vds=25 V, 6引脚 SC-70封装
规格:最小栅阈值电压 0.65V,
制造商零件编号:
FDG313N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3371
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