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• Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282Z E3180A, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 PG-TO-263-7-1封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  BTS282Z E3180A
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7112
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD220N06L3 G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  IPD220N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7435
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD350N06L G, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  IPD350N06L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7496
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8884, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  FDS8884
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0722
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8896, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  FDS8896
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0731
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS8984, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  FDS8984
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0753
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4214DDY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  SI4214DDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3327
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4936CDY-T1-GE3, 5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  SI4936CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3370
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR466DP-T1-GE3, 28 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  SIR466DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3406
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7660, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  FDMC7660
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6285
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC7660S, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  FDMC7660S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6288
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7672, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 MLP封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  FDMC7672
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6291
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7570S, 156 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  FDMS7570S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6336
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC028N06LS3 G, 100 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  BSC028N06LS3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5241
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  BSZ097N04LS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5367
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  IPD105N04L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5468
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP037N06L3 G, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  IPP037N06L3 G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5487
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8778, 35 A, Vds=25 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  FDD8778
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9112
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8884, 8 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  FDMA8884
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  803-1841
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6692A, 9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  FDS6692A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  805-0378
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8878, 10 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  FDMA8878
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3481
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC7582, 17 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  FDMC7582
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3494
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2343CDS-T1-GE3, 4.7 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  SI2343CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3120
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si2338DS-T1-GE3, 6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  Si2338DS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3126
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI3993CDV-T1-GE3, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最小栅阈值电压 1.2V,
• 制造商零件编号：
  SI3993CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3189
  
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