品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI1912EDH-T1-E3, 1.13 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI1912EDH-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3235
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET SI3464DV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI3464DV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3167
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SI5855CDC-T1-E3, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI5855CDC-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1346
搜索
Vishay 双 Si N/P沟道 MOSFET SI4501BDY-T1-GE3, 6.4 A,12 A, Vds=8 V,30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI4501BDY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3227
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Vishay N沟道 MOSFET SI2312BDS-T1-GE3, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI2312BDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3254
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2301BDS-T1-E3, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI2301BDS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4660
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Vishay 双 P沟道 Si MOSFET SI5933CDC-T1-GE3, 3 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI5933CDC-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1359
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Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ2315ES-T1_GE3, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SQ2315ES-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3901
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Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQ2301ES-T1-GE3, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SQ2301ES-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3908
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Vishay N沟道 Si MOSFET 晶体管 SI1410EDH-T1-E3, 2.9 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI1410EDH-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3210
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI3441BDV-T1-GE3, 2.4 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI3441BDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3285
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Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI4403BDY-T1-E3, 7.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI4403BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3336
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI9424BDY-T1-E3, 5.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.45V,
制造商零件编号:
SI9424BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3383
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