品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4936BDY-T1-E3, 5.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SI4936BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4746
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET SI4190ADY-T1-GE3, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SI4190ADY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9235
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Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS890DN-T1-GE3, 30 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SIS890DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9395
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIS892ADN-T1-GE3, 28 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SIS892ADN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9399
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ3426EEV-T1-GE3, 7 A, Vds=60 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SQ3426EEV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9456
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SQD23N06-31L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9487
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQJ460EP-T1-GE3, 32 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SQJ460EP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9490
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD50N05-11L_GE3, 50 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SQD50N05-11L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9493
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQJ850EP-T1_GE3, 24 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SQJ850EP-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9500
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4436DY-T1-GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SI4436DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3224
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ4410EY-T1-GE3, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SQ4410EY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3911
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Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQD19P06-60L_GE3, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SQD19P06-60L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3936
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD100N04-3M6L_GE3, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SQD100N04-3M6L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3939
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N06-3m5L_GE3, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SQM120N06-3m5L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3945
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7454DDP-T1-GE3, 21 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SI7454DDP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4236
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7454DDP-T1-GE3, 21 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SI7454DDP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9241
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7456DDP-T1-GE3, 28 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SI7456DDP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9244
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Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIJ482DP-T1-GE3, 60 A, Vds=80 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SIJ482DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9317
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR870ADP-T1-GE3, 60 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SIR870ADP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9355
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SIR872DP-T1-GE3, 54 A, Vds=150 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SIR872DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9364
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SQ9945BEY-T1_GE3, 5.4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SQ9945BEY-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9474
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SQJ962EP-T1-GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SQJ962EP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9503
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI5902BDC-T1-GE3, 3.7 A, Vds=30 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SI5902BDC-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1340
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI7129DN-T1-GE3, 11.5 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SI7129DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1384
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ3456BEV-T1_GE3, 7.8 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 1.5V,
制造商零件编号:
SQ3456BEV-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
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