品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI7615ADN-T1-GE3, 35 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI7615ADN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9248
搜索
Vishay P沟道 Si MOSFET SI8439DB-T1-E1, 9.2 A, Vds=8 V, 4引脚 微型支脚封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI8439DB-T1-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9260
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Vishay P沟道 Si MOSFET SIA447DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SIA447DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9288
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 Si MOSFET SQ3460EV-T1_GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SQ3460EV-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9468
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Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI1922EDH-T1-GE3, 1.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI1922EDH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3091
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI3433CDV-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI3433CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3142
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI3460DDV-T1-GE3, 7.9 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI3460DDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3158
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5935CDC-T1-GE3, 3.8 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI5935CDC-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1352
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI7405BDN-T1-GE3, 11 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI7405BDN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1400
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Vishay P沟道 Si MOSFET SIA429DJT-T1-GE3, 8.5 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SIA429DJT-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1450
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI2301CDS-T1-GE3, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI2301CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0250
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI2305CDS-T1-GE3, 4.4 A, Vds=8 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI2305CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3248
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DS-T1-E3, 4.1 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-236封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI2333DS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4691
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI1012CR-T1-GE3, 630 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI1012CR-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9005
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI1442DH-T1-GE3, 4 A, Vds=12 V, 6引脚 SC-70封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI1442DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9134
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI2333DDS-T1-GE3, 6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI2333DDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9222
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Vishay Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI8806DB-T2-E1, 3.9 A, Vds=12 V, 4引脚 微型支脚封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI8806DB-T2-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9272
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Vishay P沟道 Si MOSFET SIA461DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SIA461DJ-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9291
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ2310ES-T1_GE3, 6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SQ2310ES-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9443
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Vishay N沟道 Si MOSFET SI1032X-T1-GE3, 200 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI1032X-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3031
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI1031R-T1-GE3, 100 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-75A封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI1031R-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3038
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI1315DL-T1-GE3, 700 mA, Vds=8 V, 3引脚 SOT-323封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI1315DL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3057
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Vishay 双 P沟道 Si MOSFET SI1967DH-T1-GE3, 1.1 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI1967DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3108
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI3447CDV-T1-GE3, 6.2 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI3447CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3154
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI5853DDC-T1-E3, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
品牌:Vishay,规格:最小栅阈值电压 0.4V,
制造商零件编号:
SI5853DDC-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1343
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