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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDN337N, 2.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  FDN337N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0429
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDS6375, 8 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  FDS6375
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0564
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS332P, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  NDS332P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1087
  
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• Nexperia N沟道 Si MOSFET BSH121,135, 300 mA, Vds=55 V, 3引脚 SC-70封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  BSH121,135
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8363
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDMA1024NZ, 5 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  FDMA1024NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6216
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N/P沟道 Si MOSFET FDME1034CZT, 2.6 A，3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  FDME1034CZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9147
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDME1024NZT, 3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  FDME1024NZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9576
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6305N, 2.7 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  FDC6305N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-3947
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI7615ADN-T1-GE3, 35 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  SI7615ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9248
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI8439DB-T1-E1, 9.2 A, Vds=8 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  SI8439DB-T1-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9260
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA447DJ-T1-GE3, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  SIA447DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9288
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 Si MOSFET SQ3460EV-T1_GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  SQ3460EV-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9468
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDG332PZ, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  FDG332PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3403
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI1922EDH-T1-GE3, 1.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  SI1922EDH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3091
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI3433CDV-T1-GE3, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  SI3433CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3142
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI3460DDV-T1-GE3, 7.9 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  SI3460DDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3158
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5935CDC-T1-GE3, 3.8 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  SI5935CDC-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1352
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7405BDN-T1-GE3, 11 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  SI7405BDN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1400
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA429DJT-T1-GE3, 8.5 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  SIA429DJT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1450
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC642P_F085, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  FDC642P_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8017
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA7628, 9 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  FDMA7628
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8168
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDMA908PZ, 12 A, Vds=12 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  FDMA908PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8183
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDZ1416NZ, 7 A, Vds=24 V, 4引脚 WLCSP封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  FDZ1416NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8748
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI2301CDS-T1-GE3, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  SI2301CDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0250
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
  
  规格：最小栅阈值电压 0.4V,
• 制造商零件编号：
  IRLML6401TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4713
  
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