品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
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半导体
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay VS-GT140DA60U N通道 IGBT 模块, 184 A, Vce=600 V, 4引脚 SOT-227封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
VS-GT140DA60U
品牌:
Vishay
库存编号:
748-1071
搜索
Vishay VS-VSKCS209/150 IGBT 模块, 3引脚 TO-240AA封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
VS-VSKCS209/150
品牌:
Vishay
库存编号:
873-2351
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z34SPBF, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
IRF9Z34SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-221
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFP9140PBF, 21 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
IRFP9140PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9727
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9024PBF, 1.6 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
IRFD9024PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0547
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9120PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
IRFD9120PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0553
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9014PBF, 1.1 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
IRFD9014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0733
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFZ14PBF, 10 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
IRFZ14PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1685
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRLD014PBF, 1.7 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
IRLD014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-0478
搜索
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF510SPBF, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
IRF510SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1645
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUD23N06-31L-E3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
SUD23N06-31L-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
611-1342
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRL530PBF, 15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
IRL530PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4866
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRLZ44, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
IRLZ44PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4897
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET IRF510PBF, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
IRF510PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-5134
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9530PBF, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
IRF9530PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-5159
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET 晶体管 SI4948BEY-T1-E3, 2.4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
SI4948BEY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3377
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 SI4946BEY-T1-E3, 6.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
SI4946BEY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4755
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUD06N10-225L-GE3, 6.5 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
SUD06N10-225L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5008
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ1420EEH-T1-GE3, 1.6 A, Vds=60 V, 6引脚 SC-70封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
SQ1420EEH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9434
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ3426EEV-T1-GE3, 7 A, Vds=60 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
SQ3426EEV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9456
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 Si MOSFET SQ3460EV-T1_GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
SQ3460EV-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9468
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD23N06-31L_GE3, 23 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
SQD23N06-31L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9487
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQJ460EP-T1-GE3, 32 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
SQJ460EP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9490
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD50N05-11L_GE3, 50 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
SQD50N05-11L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9493
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQJ850EP-T1_GE3, 24 A, Vds=60 V, 5引脚 PowerPAK SO-8L封装
品牌:Vishay,规格:最高工作温度 +175 °C,
制造商零件编号:
SQJ850EP-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9500
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