规格:最大栅源电压 ±30 V,
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP36N30P, 36 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IXTP36N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-622
搜索
IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET晶体管和二极管 IXFX30N100Q2, 30 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS247封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IXFX30N100Q2
品牌:
IXYS
库存编号:
193-947
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR44N80P, 25 A, Vds=800 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IXFR44N80P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-344
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP7N60P, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IXTP7N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-506
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N50P, 36 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IXFH36N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-546
搜索
IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH44N50P, 44 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AD封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IXFH44N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-552
搜索
Vishay N沟道 Si MOSFET IRF840LCPBF, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRF840LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
301-495
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF5802TRPBF, 900 mA, Vds=150 V, 6引脚 TSOP封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRF5802TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-647
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS4229PBF, 45 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFS4229PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-883
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP13NK60Z, 13 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
STP13NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1079
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP6NK90ZFP, 5.8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
STP6NK90ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1575
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW12NK90Z, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
STW12NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1995
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STF25N80K5, 19.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
STF25N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-2011
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125CP, 25 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPP60R125CP
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7478
搜索
Infineon CoolMOS CFD 系列 N沟道 Si MOSFET IPA65R190CFD, 17.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPA65R190CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7738
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET IPA90R340C3, 15 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IPA90R340C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-9088
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STE53NC50, 53 A, Vds=500 V, 4引脚 ISOTOP封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
STE53NC50
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7383
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP10NK60Z, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
STP10NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7412
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP3NK90Z, 3 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
STP3NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7636
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP6NK60Z, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
STP6NK60Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7838
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW9NK90Z, 8 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
STW9NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-8623
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP6NK60ZFP, 6 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
STP6NK60ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2357
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
STW20NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-3114
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS31N20DPBF, 31 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFS31N20DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
539-4990
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFBC40LCPBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大栅源电压 ±30 V,
制造商零件编号:
IRFBC40LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
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