品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
BSZ097N04LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5367
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ160N10NS3 G, 40 A, Vds=100 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
BSZ160N10NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5373
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB027N10N3G, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
IPB027N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9235
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N10N3G, 100 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
IPB042N10N3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5237
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC110N06NS3G, 50 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
BSC110N06NS3G
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5303
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 BSC100N03MS G, 44 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
BSC100N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5294
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC123N08NS3 G, 55 A, Vds=80 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
BSC123N08NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5301
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB009N03L G, 180 A, Vds=30 V, 7引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
IPB009N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5406
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
IPD040N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5459
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC320N20NS3 G, 36 A, Vds=200 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
BSC320N20NS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5311
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC030N04NS G, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
BSC030N04NS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5248
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC090N03LS G, 48 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
BSC090N03LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5282
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ067N06LS3 G, 20 A, Vds=60 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
BSZ067N06LS3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5364
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB015N04LG, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
IPB015N04LG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5306
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310ZTRLPBF, 127 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 -20 V, +20 V,
制造商零件编号:
IRFS4310ZTRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5045
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