规格:最大栅源电压 -16 V,20 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:最大栅源电压 -16 V,20 V,
制造商零件编号:
SIRA02DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9361
搜索
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:最大栅源电压 -16 V,20 V,
制造商零件编号:
SIRA00DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9367
搜索
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:最大栅源电压 -16 V,20 V,
制造商零件编号:
SIRA04DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9370
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Vishay PowerPAIR 系列 双 Si N沟道 MOSFET SIZ340DT-T1-GE3, 30 A,40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAIR封装
规格:最大栅源电压 -16 V,20 V,
制造商零件编号:
SIZ340DT-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
830-6249
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA12DP-T1-GE3, 25 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:最大栅源电压 -16 V,20 V,
制造商零件编号:
SIRA12DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9386
查看其他仓库
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SISA10DN-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
规格:最大栅源电压 -16 V,20 V,
制造商零件编号:
SISA10DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9409
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB45N04S4L-08, 45 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
规格:最大栅源电压 -16 V,20 V,
制造商零件编号:
IPB45N04S4L-08
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9333
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA10DP-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:最大栅源电压 -16 V,20 V,
制造商零件编号:
SIRA10DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9377
搜索
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA14DP-T1-GE3, 58 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:最大栅源电压 -16 V,20 V,
制造商零件编号:
SIRA14DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9389
搜索
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS476DN-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
规格:最大栅源电压 -16 V,20 V,
制造商零件编号:
SIS476DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9392
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA18DP-T1-GE3, 15.5 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:最大栅源电压 -16 V,20 V,
制造商零件编号:
SIRA18DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1291
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:最大栅源电压 -16 V,20 V,
制造商零件编号:
SIRA00DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-4246
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