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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR4101PT1G, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  NTR4101PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  103-5071
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSS816NW H6327, 1.4 A, Vds=20 V, 3引脚 PG-SOT-323封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  BSS816NW H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7113
  
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• NXP N沟道 Si MOSFET BF992,215, 40 mA, Vds=20 V, 4引脚 SOT-143封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  BF992,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  626-2484
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDN337N, 2.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  FDN337N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0429
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDS6375, 8 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  FDS6375
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0564
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDS6890A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  FDS6890A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0633
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS332P, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  NDS332P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1087
  
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• Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI9934BDY-T1-E3, 4.8 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  SI9934BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3399
  
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• Nexperia 双 N沟道 Si MOSFET PMGD280UN,115, 870 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  PMGD280UN,115
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8329
  
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• Nexperia N沟道 Si MOSFET BSH121,135, 300 mA, Vds=55 V, 3引脚 SC-70封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  BSH121,135
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  725-8363
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDMA1024NZ, 5 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  FDMA1024NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6216
  
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• Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2312CX RFG, 4.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  TSM2312CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6059
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2075U-7, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  DMN2075U-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4143
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 3SK293(TE85L,F), 30 mA, Vds=12.5 V, 4引脚 USQ封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  3SK293(TE85L,F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  756-0388
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N/P沟道 Si MOSFET FDME1034CZT, 2.6 A，3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  FDME1034CZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9147
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDFME2P823ZT, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  FDFME2P823ZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9490
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDME1024NZT, 3.8 A, Vds=20 V, 6引脚 MicroFET 薄型封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  FDME1024NZT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9576
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDC6305N, 2.7 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  FDC6305N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-3947
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN2300UFB4-7B, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 X2-DFN1006封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  DMN2300UFB4-7B
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5128
  
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• DiodesZetex P沟道 MOSFET 晶体管 DMP2070UCB6-7, 3.5 A, Vds=20 V, 6引脚 U-WLB1510封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  DMP2070UCB6-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5153
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2990UFA-7B, 510 mA, Vds=20 V, 3引脚 X2-DFN0806封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  DMN2990UFA-7B
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  770-5276
  
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• ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTHD3102CT1G, 4.2 A，5.5 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  NTHD3102CT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0585
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTJS3157NT1G, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-88封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  NTJS3157NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0624
  
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• ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET NTLJD3115PT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  NTLJD3115PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0646
  
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• ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTLJS3113PT1G, 7.7 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
  
  规格：最大栅源电压 ±8 V,
• 制造商零件编号：
  NTLJS3113PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0661
  
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