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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1403CDL-T1-GE3, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1403CDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3213
  
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• Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI1912EDH-T1-E3, 1.13 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1912EDH-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3235
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI4116DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3317
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI9933CDY-T1-GE3, 4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI9933CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3395
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET Si1308EDL-T1-GE3, 1.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  Si1308EDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9121
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI7615ADN-T1-GE3, 35 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI7615ADN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9248
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI1469DH-T1-GE3, 2.6 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1469DH-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3081
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIA449DJ-T1-GE3, 10.4 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SIA449DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1213
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI5513CDC-T1-GE3, 3 A，3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI5513CDC-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1330
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI6968BEDQ-T1-GE3, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI6968BEDQ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1374
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI8487DB-T1-E1, 6.2 A, Vds=30 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI8487DB-T1-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1429
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI4116DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-0272
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1417EDH-T1-E3, 2.7 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1417EDH-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3229
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI3446ADV-T1-E3, 5.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI3446ADV-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3291
  
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• Vishay 双 N/P沟道 MOSFET 晶体管 SI4500BDY-T1-E3, 3.8 A, 6.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI4500BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3342
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI3442CDV-T1-GE3, 8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI3442CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9226
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI7655DN-T1-GE3, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI7655DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9257
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIR401DP-T1-GE3, 50 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SIR401DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9342
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI1070X-T1-GE3, 1.2 A, Vds=30 V, 6引脚 SC-89封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1070X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3041
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI1069X-T1-GE3, 750 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-89封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1069X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3047
  
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• Vishay 双 N/P沟道 Si MOSFET SI1553CDL-T1-GE3, 400 mA，700 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1553CDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3094
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4666DY-T1-GE3, 16.5 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI4666DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3249
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA921EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SIA921EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1235
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI8489EDB-T2-E1, 4.3 A, Vds=20 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI8489EDB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1438
  
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• Vishay 双 N沟道 Si MOSFET SI3900DV-T1-GE3, 2 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI3900DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4277
  
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