以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZXM62P02E6TA, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  ZXM62P02E6TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  155-248
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7607TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7607TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-776
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2402TRPBF, 1.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  IRLML2402TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  302-016
  
• 
  搜索

• NXP 双 Si N沟道 MOSFET PHKD6N02LT,518, 10.9 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  PHKD6N02LT,518
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  509-510
  
• 
  搜索

• NXP P沟道 Si MOSFET PMF170XP, 1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  PMF170XP
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8120
  
• 
  搜索

• NXP Si P沟道 MOSFET PMV65XP, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  PMV65XP
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8142
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7204PBF, 5.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7204PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9632
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7101PBF, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7101PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0238
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7301PBF, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7301PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0698
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7307PBF, 4.7 A，5.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7307PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0705
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7455PBF, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7455PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1336
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7807D1PBF, 8.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7807D1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1982
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7331PBF, 7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7331PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2058
  
• 
  搜索

• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7422D2PBF, 4.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7422D2PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2452
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7425PBF, 15 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7425PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3943
  
• 
  搜索

• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2A14FTA, 4.1 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  ZXMN2A14FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7685
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDN308P, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  FDN308P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0419
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6892A, 7.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  FDS6892A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0637
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS6898A, 9.4 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  FDS6898A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0646
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDY3000NZ, 600 mA, Vds=20 V, 6引脚 SC-89封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  FDY3000NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0841
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDY300NZ, 600 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  FDY300NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0845
  
• 
  搜索

• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN2A01FTA, 2.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  ZXMN2A01FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2447
  
• 
  搜索

• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI1403CDL-T1-GE3, 1.4 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1403CDL-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3213
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI1912EDH-T1-E3, 1.13 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI1912EDH-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3235
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 Si MOSFET SI4116DY-T1-GE3, 12.7 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±12 V,
• 制造商零件编号：
  SI4116DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3317
  
• 
  搜索