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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI8439DB-T1-E1, 9.2 A, Vds=8 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  规格：最大栅源电压 ±5 V,
• 制造商零件编号：
  SI8439DB-T1-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9260
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SI8416DB-T2-E1, 16 A, Vds=8 V, 6引脚 微型支脚封装
  
  规格：最大栅源电压 ±5 V,
• 制造商零件编号：
  SI8416DB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9266
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI1050X-T1-GE3, 1.34 A, Vds=8 V, 6引脚 SC-89封装
  
  规格：最大栅源电压 ±5 V,
• 制造商零件编号：
  SI1050X-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3035
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI8805EDB-T2-E1, 2.5 A, Vds=8 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  规格：最大栅源电压 ±5 V,
• 制造商零件编号：
  SI8805EDB-T2-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1431
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MCH3383-TL-H, 3.5 A, Vds=12 V, 3引脚 MCHP封装
  
  规格：最大栅源电压 ±5 V,
• 制造商零件编号：
  MCH3383-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0923
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI2329DS-T1-GE3, 6 A, Vds=8 V, 3引脚 TO-236封装
  
  规格：最大栅源电压 ±5 V,
• 制造商零件编号：
  SI2329DS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3114
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI3499DV-T1-GE3, 3.9 A, Vds=8 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大栅源电压 ±5 V,
• 制造商零件编号：
  SI3499DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3173
  
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