品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
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半导体
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
BSP171P
品牌:
Infineon
库存编号:
167-942
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7503TRPBF, 2.4 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRF7503TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-290
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Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7506TRPBF, 1.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRF7506TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-307
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7201PBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRF7201PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-565
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7509TRPBF, 2 A,2.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRF7509TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-192
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRLML5103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-038
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRFB3206PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-574
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310ZPBF, 127 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRFS4310ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-821
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRF8707PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-871
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Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282Z E3180A, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 PG-TO-263-7-1封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
BTS282Z E3180A
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7112
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Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP023N10N5, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IPP023N10N5
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7116
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Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD65R250C6, 16 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IPD65R250C6
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7125
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Infineon OptiMOS 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET BSL316C H6327, 1.4 A,1.5 A, Vds=30 V, 6引脚 PG-TDSOP封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
BSL316C H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7129
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPA90R800C3, 6.9 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IPA90R800C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7149
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET IPW90R1K2C3, 5.1 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IPW90R1K2C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7434
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD220N06L3 G, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IPD220N06L3 G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7435
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD350N06L G, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IPD350N06L G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7496
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Infineon CoolMOS S5 系列 Si N沟道 MOSFET SPW20N60S5, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
SPW20N60S5
品牌:
Infineon
库存编号:
354-6414
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105PBF, 27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRFR4105PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9828
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4310PBF, 2.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRFL4310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9884
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ48NPBF, 64 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRFZ48NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9957
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9024NPBF, 11 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRFR9024NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0109
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF9410PBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRF9410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0323
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9Z34NPBF, 19 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRF9Z34NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0806
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP140NPBF, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大栅源电压 ±20 V,
制造商零件编号:
IRFP140NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
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