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• STC03DE220HV NPN 发射器开关双极性晶体管, 3 A 2200V, 4针 TO-247封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  STC03DE220HV
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  250-145
  
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• FJP2160DTU NPN 发射器开关, 2 A 2.21V, 3针 TO-220封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  FJP2160DTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8950
  
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• Fairchild Semiconductor FJAFS1720TU NPN 发射器开关, 12 A 0.304V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  FJAFS1720TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8944
  
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• FJPF2145TU NPN 发射器开关, 5 A 0.209V, 3针 TO-220F封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  FJPF2145TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8969
  
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• FJP2145TU NPN 发射器开关, 5 A 0.202V, 3针 TO-220封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  FJP2145TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8956
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXM61N03FTA, 1.4 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  ZXM61N03FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  154-964
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  BSP171P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  167-942
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 2SK2508(F), 13 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220NIS封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  2SK2508(F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  185-625
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH96N20P, 96 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH96N20P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-442
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFN140N30P, 115 A, Vds=300 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  IXFN140N30P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  193-739
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD5N20, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  STD5N20
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  248-990
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET BSP100, 3.2 A, Vds=30 V, 4引脚 SC-73封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  BSP100
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  261-606
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN2106GTA, 710 mA, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  ZVN2106GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  274-992
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7503TRPBF, 2.4 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7503TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-290
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7506TRPBF, 1.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7506TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-307
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7201PBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7201PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  300-565
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7509TRPBF, 2 A，2.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7509TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-192
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z34SPBF, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF9Z34SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  301-221
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  IRLML5103TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  302-038
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 2SK3176(F), 30 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  2SK3176(F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  415-247
  
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• Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 TPC6108(TE85L,F), 4.5 A, Vds=30 V, 6引脚 VS封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  TPC6108(TE85L,F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  415-336
  
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• Toshiba Si P沟道 MOSFET TPCA8107-H(TE12L,Q,M), 7.5 A, Vds=40 V, 8引脚 SOP 高级封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  TPCA8107-H(TE12L,Q,M)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  415-427
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3206PBF, 210 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB3206PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-574
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4310ZPBF, 127 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS4310ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-821
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅源电压 ±20 V,
• 制造商零件编号：
  IRF8707PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-871
  
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