规格:最大栅阈值电压 3.7V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD1NK60T4, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
STD1NK60T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5181
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK10A60W5,S5VX(M, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK10A60W5,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4993
查看其他仓库
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK16N60W,S1VF(S, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK16N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5047
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20A60W,S5VX(M, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK20A60W,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5062
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK20E60W,S1VX(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK20E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5069
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK31N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5107
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK39A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5122
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK39J60W5,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5135
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK39N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5138
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK7A60W,S4VX(M, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK7A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5201
查看其他仓库
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK8A60W,S5VX(M, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK8A60W,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5211
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7530TRLPBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
IRFS7530TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8870
查看其他仓库
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7534TRLPBF, 195 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
IRFS7534TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
820-8873
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK12E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6113
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK12P60W,RVQ(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6126
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16J60W,S1VQ(O, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK16J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6141
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK20N60W,S1VF(S, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK20N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6167
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31N60W,S1VF(S, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK31N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6198
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK39J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6211
搜索
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK5A60W,S4VX(M, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK5A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6242
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK62N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6255
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7787TRPBF, 68 A, Vds=75 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
IRFH7787TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4183
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7787TRLPBF, 76 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
IRFS7787TRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4221
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7734-7PPBF, 197 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
IRFS7734-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3365
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK16A60W,S4VX(M, 15.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大栅阈值电压 3.7V,
制造商零件编号:
TK16A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2901
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