品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
BSP171P
品牌:
Infineon
库存编号:
167-942
搜索
Infineon TEMPFET 系列 Si N沟道 MOSFET BTS282Z E3180A, 80 A, Vds=49 V, 7针+焊片 PG-TO-263-7-1封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
BTS282Z E3180A
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7112
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD350N06L G, 29 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IPD350N06L G
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7496
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Infineon LogicFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL520NPBF, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IRL520NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1196
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL540NPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IRL540NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1219
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ24NPBF, 18 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IRLZ24NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1231
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL540NSPBF, 36 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IRL540NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0440
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLIZ44NPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IRLIZ44NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0541
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ34NSPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IRLZ34NSPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0614
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7455PBF, 15 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IRF7455PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1336
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Infineon LogicFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2505PBF, 104 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IRL2505PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1544
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024NPBF, 4.4 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IRLL024NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1673
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Infineon N沟道 MOSFET IRF8010LPBF, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IRF8010LPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4132
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL024ZPBF, 5 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IRLL024ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4463
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL3705ZPBF, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IRL3705ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7175
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLZ44ZPBF, 51 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IRLZ44ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7308
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3410, 17 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
AUIRLR3410
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7420
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLR120N, 10 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
AUIRLR120N
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1891
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET SPD50P03L G, 50 A, Vds=30 V, 5引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
SPD50P03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8495
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC050N03MS G, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
BSC050N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5263
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03MS G, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
BSC080N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5288
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ035N03MS G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
BSZ035N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5358
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
BSZ097N04LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5367
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
IPD105N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5468
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRL3705ZL, 86 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2V,
制造商零件编号:
AUIRL3705ZL
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4331
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