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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019H-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装
  
  规格：最大栅阈值电压 4.9V,
• 制造商零件编号：
  IRFI4019H-117P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3198
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4020H-117P, 9.1 A, Vds=200 V, 5引脚 TO-220封装
  
  规格：最大栅阈值电压 4.9V,
• 制造商零件编号：
  IRFI4020H-117P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3201
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大栅阈值电压 4.9V,
• 制造商零件编号：
  IRFSL4020PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5835
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4019PBF, 17 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大栅阈值电压 4.9V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4019PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6920
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7853PBF, 8.3 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅阈值电压 4.9V,
• 制造商零件编号：
  IRF7853PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6888
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7855TRPBF, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅阈值电压 4.9V,
• 制造商零件编号：
  IRF7855TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3893
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7855PBF, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大栅阈值电压 4.9V,
• 制造商零件编号：
  IRF7855PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6881
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大栅阈值电压 4.9V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4020PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6939
  
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