品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP125H6327XTSA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
BSP125H6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9276
搜索
Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS119NH6327XTSA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
BSS119NH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0119
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7843PBF, 161 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IRLR7843PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3388
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP125H6433XTMA1, 120 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
BSP125H6433XTMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8497
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7833STRLPBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IRL7833STRLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5083
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSS606N H6327, 3.2 A, Vds=60 V, 4引脚 PG-SOT-89封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
BSS606N H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7170
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7833PBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IRL7833PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7193
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7833SPBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IRL7833SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7197
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS7728NH6327, 200 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
BSS7728NH6327
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0036
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7833PBF, 140 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IRLR7833PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3385
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLU7843PBF, 161 A, Vds=30 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IRLU7843PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
864-1031
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML0030TRPBF, 5.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IRLML0030TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4042
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML0030TRPBF, 5.3 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IRLML0030TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9344
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2030TRPBF, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IRLML2030TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9353
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP324H6327XTSA1, 170 mA, Vds=400 V, 3针+焊片 SOT-223封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
BSP324H6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9257
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7843TRPBF, 161 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IRLR7843TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3382
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF9389TRPBF, 4.6 A,6.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 2.3V,
制造商零件编号:
IRF9389TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3312
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