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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7503TRPBF, 2.4 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
IRF7503TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-290
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7506TRPBF, 1.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
IRF7506TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-307
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7201PBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
IRF7201PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
300-565
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N/P沟道 MOSFET IRF7509TRPBF, 2 A,2.7 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
IRF7509TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-192
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
IRLML5103TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-038
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
IRLL3303PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9890
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2203NPBF, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
IRL2203NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9985
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF9410PBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
IRF9410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0323
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si P沟道 MOSFET IRF7342PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
IRF7342PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-1764
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRL1004SPBF, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
IRL1004SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-2127
搜索
Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IRF7342D2PBF, 3.4 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
IRF7342D2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
543-1954
查看其他仓库
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7807D1PBF, 8.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
IRF7807D1PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1982
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7821PBF, 65 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
IRLR7821PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2301
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDN337N, 2.2 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
FDN337N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0429
搜索
Nexperia 双 N沟道 Si MOSFET PMGD280UN,115, 870 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
PMGD280UN,115
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8329
搜索
Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2312CX RFG, 4.9 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
TSM2312CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6059
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DiodesZetex 双 N/P沟道 Si MOSFET DMC2004DWK-7, 430 mA,540 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
DMC2004DWK-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4054
查看其他仓库
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2075U-7, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
DMN2075U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4143
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN26D0UT-7, 230 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
DMN26D0UT-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4168
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2990UFA-7B, 510 mA, Vds=20 V, 3引脚 X2-DFN0806封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
DMN2990UFA-7B
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5276
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTJS3157NT1G, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-88封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
NTJS3157NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0624
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ON Semiconductor 双 P沟道 Si MOSFET NTLJD3115PT1G, 4.1 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
NTLJD3115PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0646
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ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTLJS3113PT1G, 7.7 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
NTLJS3113PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0661
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTLJS4114NT1G, 7.8 A, Vds=30 V, 6引脚 WDFN封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
NTLJS4114NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0664
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ON Semiconductor 双 N/P沟道 Si MOSFET NTUD3169CZT5G, 250 mA,280 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-963封装
规格:最大栅阈值电压 1V,
制造商零件编号:
NTUD3169CZT5G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
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