品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7607TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRF7607TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-776
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7331PBF, 7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRF7331PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2058
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7425PBF, 15 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRF7425PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-3943
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Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSC026N02KS G, 100 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSC026N02KS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8154
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSS223PWH6327XTSA1, 310 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSS223PWH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9991
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Infineon OptiMOS 系列 N沟道 Si MOSFET BSS214NWH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSS214NWH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0030
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Infineon OptiMOS 2 系列 N沟道 Si MOSFET BSS205N H6327, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSS205N H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2374
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML6402TRPBF, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRLML6402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-322
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSL207SP, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSL207SP
品牌:
Infineon
库存编号:
753-2781
查看其他仓库
Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSR202NL6327, 3.8 A, Vds=20 V, 3引脚 SC-59封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSR202NL6327
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9386
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSS209PWH6327XTSA1, 500 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSS209PWH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0018
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Infineon OptiMOS 系列 N沟道 Si MOSFET BSS214NH6327XT, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSS214NH6327XT
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0058
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Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSL211SP, 4.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSL211SP
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2169
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2502PBF, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRLML2502PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
610-6693
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSV236SPH6327XT, 1.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSV236SPH6327XT
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9254
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLMS2002TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 6引脚 Micro6封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRLMS2002TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3326
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML6402GTRPBF, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 Micro6封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRLML6402GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3329
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML6402TRPBF, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRLML6402TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4722
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7530TRPBF, 5.4 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRF7530TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-754
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC046N02KS G, 80 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSC046N02KS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8167
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7425TRPBF, 15 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRF7425TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8939
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Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSD235NH6327XT, 950 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
BSD235NH6327XT
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0115
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5806TRPBF, 4 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRF5806TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3509
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7530TRPBF, 5.4 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
品牌:Infineon,规格:最大栅阈值电压 1.2V,
制造商零件编号:
IRF7530TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4729
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