规格:最大栅阈值电压 2.35V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRF8707PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-871
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8252PBF, 25 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRF8252PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6885
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8734PBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRF8734PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6891
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8256PBF, 81 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRLR8256PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7238
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF6718L2TRPBF, 270 A, Vds=25 V, 9引脚 DirectFET L6封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRF6718L2TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5369
搜索
Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7907PBF, 9.1 A,11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRF7907PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
716-5520
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5301TR2PBF, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 QFN封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRFH5301TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9280
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5302DTR2PBF, 29 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRFH5302DTR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9284
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB8748PBF, 92 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRLB8748PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9329
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8325TR2PBF, 82 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRFH8325TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
760-4375
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8318TR2PBF, 120 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRFH8318TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4378
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8337TR2PBF, 35 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRFH8337TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4381
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8714TRPBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRF8714TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3900
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8736TRPBF, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRF8736TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3919
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8259TRPBF, 57 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRLR8259TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3391
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707GTRPBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRF8707GTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5774
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8726TRPBF, 86 A, Vds=30 V, 3针+焊片 DPAK封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRLR8726TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5115
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8714PBF, 14 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRF8714PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-681
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR8729PBF, 58 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRLR8729PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7248
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRLU8259PBF, 57 A, Vds=25 V, 3引脚 IPAK封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRLU8259PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7291
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5304TR2PBF, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRFH5304TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9290
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB8721PBF, 62 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRLB8721PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9322
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFML8244TRPBF, 5.8 A, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRFML8244TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7219
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH8324TR2PBF, 90 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRFH8324TR2PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
760-4371
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF8513TRPBF, 8 A,11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大栅阈值电压 2.35V,
制造商零件编号:
IRF8513TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3906
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