规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9014PBF, 5.1 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
IRFR9014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9604
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9014PBF, 1.1 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
IRFD9014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0733
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRFI9640GPBF, 6.1 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
IRFI9640GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1128
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640SPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
IRF9640SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4211
搜索
Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9640LPBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
IRF9640LPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4895
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK60ZFP, 13.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
STP14NK60ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0017
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN2300UFB4-7B, 1.3 A, Vds=20 V, 3引脚 X2-DFN1006封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
DMN2300UFB4-7B
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
770-5128
查看其他仓库
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK8A60W,S5VX(M, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
TK8A60W,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5211
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9010TRPBF, 5.3 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
IRFR9010TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0638
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640STRLPBF, 6.8 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
IRF9640STRLPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2667
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640STRRPBF, 6.8 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
IRF9640STRRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2676
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STW15N95K5, 12 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
STW15N95K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-1493
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STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STD12N65M2, 8 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
STD12N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5629
搜索
STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STF12N65M2, 8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
STF12N65M2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5639
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRFL9014TRPBF, 1.8 A, Vds=60 V, 4引脚 SOT-223封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
IRFL9014TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5643
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4310A, 900 mA, Vds=100 V, 3引脚 E-Line封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
ZVN4310A
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-7780
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9640PBF, 11 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
IRF9640PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1118
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z14PBF, 6.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
IRF9Z14PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9478
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STF15N95K5, 12 A, Vds=950 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
STF15N95K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-7094
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK8A60W,S5VX(J, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
TK8A60W,S5VX(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2451
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFL9014TRPBF, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
IRFL9014TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0824
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFP12N50P, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
IXFP12N50P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-619
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN4310A, 900 mA, Vds=100 V, 3引脚 E-Line封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
ZVN4310A
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
841-306
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET NDS9948, 2.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
NDS9948
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
761-3397
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 MMDF1N05ER2G, 2 A, Vds=50 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 500 MΩ,
制造商零件编号:
MMDF1N05ER2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
808-4100
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