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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET BSS84, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  BSS84
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0328
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET BSS84DW-7-F, 130 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  BSS84DW-7-F
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2484
  
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• DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET BSS84V-7, 130 mA, Vds=50 V, 6引脚 SOT-563封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  BSS84V-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2185
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS123NH6327XTSA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  BSS123NH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0011
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS119NH6327XTSA1, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  BSS119NH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0119
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET DN3535N8-G, 230 mA, Vds=350 V, 4引脚 TO-243AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  DN3535N8-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  829-3354
  
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• Microchip Si N沟道 MOSFET VN2410L-G, 190 mA, Vds=240 V, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  VN2410L-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  861-0670
  
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• Microchip Si P沟道 MOSFET TP2104N3-G, 175 mA, Vds=40 V, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  TP2104N3-G
  品牌：
  Microchip
  库存编号：
  879-3270
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN3310FTA, 100 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  ZVN3310FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7639
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVN3310FTA, 100 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  ZVN3310FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  155-018
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET BSS84LT1G, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  BSS84LT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  463-329
  
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• DiodesZetex P沟道 MOSFET 晶体管 BSS84TA, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  BSS84TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  669-7376
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET BSS84-7-F, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  BSS84-7-F
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  738-4932
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET TP0610K-T1-GE3, 185 mA, Vds=60 V, 3引脚 TO-236封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  TP0610K-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9018
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVNL120G, 320 mA, Vds=200 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  ZVNL120G
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  275-951
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZVNL120A, 180 mA, Vds=200 V, 3引脚 E-Line封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  ZVNL120A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  655-587
  
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• Nexperia Si N沟道 MOSFET BST82, 190 mA, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  BST82
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  112-5548
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FDV302P, 120 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  FDV302P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  354-4935
  
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• NXP Si P沟道 MOSFET BSS84, 130 mA, Vds=50 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  BSS84,215
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  436-8091
  
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• Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET NDS0610, 120 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  NDS0610
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-1074
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET BSS123TA, 170 mA, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  BSS123TA
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  738-4920
  
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• DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN26D0UDJ-7, 240 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-963封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  DMN26D0UDJ-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4159
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTK3043NT1G, 280 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-723封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  NTK3043NT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0630
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN26D0UFB4-7, 240 mA, Vds=20 V, 3引脚 X2-DFN1006封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  DMN26D0UFB4-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  822-2560
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZVP4105A, 175 mA, Vds=50 V, 3引脚 TO-92封装
  
  规格：最大漏源电阻值 Ω10,
• 制造商零件编号：
  ZVP4105A
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-8187
  
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