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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50APBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 580 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFPC50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9844
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRFR6215, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 580 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR6215
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7411
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR6215TRPBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 580 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR6215TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4076
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR6215TRPBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 580 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR6215TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4792
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU6215PBF, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 580 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFU6215PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3240
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET AUIRF6215, 13 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 580 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF6215
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4255
  
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• MagnaChip N沟道 Si MOSFET MMF60R580PTH, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大漏源电阻值 580 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MMF60R580PTH
  品牌：
  MagnaChip
  库存编号：
  871-5047
  
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