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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDV303N, 680 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDV303N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  354-4890
  
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• DiodesZetex N沟道 MOSFET ZXMN10A11KTC, 3.5 A, Vds=100 V, 4引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMN10A11KTC
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2602
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP10A17E6TA, 1.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMP10A17E6TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2630
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3030SN-7, 700 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-59封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP3030SN-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  751-4269
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB11NM60T4, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB11NM60T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9474
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STP13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP13N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7807
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STB13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB13N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5704
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK10A60W5,S5VX(M, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK10A60W5,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-4993
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPA60R450E6, 9.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA60R450E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8605
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFB13N50APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB13N50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  918-9856
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STB13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB13N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6614
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A07FTA, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMN6A07FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  155-147
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP11N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3190
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP11NM60ND, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP11NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9982
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF11NM60ND, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF11NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2745
  
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• STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STF13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF13N80K5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-9311
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF634S-GE3, 8.1 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIHF634S-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2632
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK10A60W5,S5VX(M, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK10A60W5,S5VX(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  891-2863
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A07FTA, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMN6A07FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-7651
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N80C3, 11 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPA11N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8476
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD11NM60ND, 10 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD11NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9884
  
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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP10A17E6TA, 1.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMP10A17E6TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  922-8024
  
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• Fairchild Semiconductor 双 Si N沟道 MOSFET FDC6303N, 680 mA, Vds=25 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDC6303N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  354-4941
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF634PBF, 8.1 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF634PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9282
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN10A11GTA, 2.4 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 450 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ZXMN10A11GTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2494
  
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