以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105PBF, 27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR4105PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9828
  
• 
  搜索

• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP, 60 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW60R045CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8397
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4105, 20 A，27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR4105
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9146
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105TRPBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFL4105TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3994
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7406PBF, 5.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7406PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9856
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFL4105PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9878
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL2703PBF, 5.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLL2703PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0989
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2502PBF, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML2502PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  610-6693
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303TRPBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLL3303TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3313
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLMS2002TRPBF, 6.5 A, Vds=20 V, 6引脚 Micro6封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLMS2002TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3326
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPW65R045C7, 46 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-247封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW65R045C7
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7633
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS41N15DPBF, 41 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS41N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0664
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR2703PBF, 23 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR2703PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-1025
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon CoolMOS C7 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R045C7, 46 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 45 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP65R045C7
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7582
  
• 
  搜索