规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR4105PBF, 27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
IRFR4105PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9828
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2075U-7, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
DMN2075U-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4143
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R045CP, 60 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
IPW60R045CP
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8397
搜索
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW69N65M5, 58 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
STW69N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3021
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR4105, 20 A,27 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
AUIRFR4105
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9146
搜索
ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 ATP216-TL-H, 35 A, Vds=50 V, 3引脚 ATPAK封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
ATP216-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0774
查看其他仓库
Vishay Si P沟道 MOSFET SI8487DB-T1-E1, 6.2 A, Vds=30 V, 4引脚 微型支脚封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
SI8487DB-T1-E1
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1429
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105TRPBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
IRFL4105TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3994
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDD4685_F085, 32 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
FDD4685_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8085
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STY60NK30Z, 60 A, Vds=300 V, 3引脚 Max247封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
STY60NK30Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1572
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP30NF10, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
STP30NF10
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7585
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7406PBF, 5.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7406PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9856
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL4105PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
IRFL4105PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9878
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB30NF10T4, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
STB30NF10T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5194
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD86250, 8 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
FDD86250
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9484
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
STP40NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0128
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STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
STW40NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0339
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STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STW75NF30, 60 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
STW75NF30
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2938
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STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STFW69N65M5, 58 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-3PF封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
STFW69N65M5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-3018
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ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTHS5404T1G, 7.2 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
NTHS5404T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1046
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DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET DMP4025LSD-13, 5.8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
DMP4025LSD-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8597
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL2703PBF, 5.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
IRLL2703PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-0989
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLML2502PBF, 4.2 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
IRLML2502PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
610-6693
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STF40NF20, 40 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
STF40NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2830
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303TRPBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:最大漏源电阻值 45 mΩ,
制造商零件编号:
IRLL3303TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3313
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