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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFU9120NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1275
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2060TRPBF, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML2060TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9357
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NTRPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR9120NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4082
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NTRPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR9120NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4795
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9520NSPBF, 6.8 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF9520NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4160
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI1302DL-T1-E3, 600 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI1302DL-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  655-6795
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP10NM65N, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP10NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9976
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR9120NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4716
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR9120NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-057
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMF400UN,115, 830 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PMF400UN,115
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  725-8391
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD10NM65N, 9 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD10NM65N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9871
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STD11N65M5, 9 A, Vds=710 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STD11N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3037
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STF11N65M5, 9 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF11N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3065
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF16N50UT, 15 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDPF16N50UT
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8580
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2060TRPBF, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML2060TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4058
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF13NK50Z, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF13NK50Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2742
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP11N65M5, 9 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP11N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3068
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB11N65M5, 9 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB11N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3074
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA13N50CF, 15 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 480 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQA13N50CF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-8976
  
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