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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7301PBF, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 50 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7301PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-0698
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 50 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML6401TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4713
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7341PBF, 4.7 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 50 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7341PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1758
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6401TRPBF, 4.3 A, Vds=12 V, 3引脚 微型封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 50 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML6401TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-316
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7201TRPBF, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 50 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7201TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8838
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD22N08S2L-50, 27 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 50 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD22N08S2L-50
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4578
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRF7601PBF, 5.7 A, Vds=20 V, 8引脚 微型封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 50 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7601PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5053
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7341PBF, 4.7 A, Vds=55 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 50 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7341PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4921
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7303PBF, 4.9 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 50 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7303PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9862
  
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