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• DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3099L-7, 2.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  DMP3099L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  827-0503
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP40N65M2, 32 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP40N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5708
  
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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK31J60W5,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5097
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET MCH6421-TL-E, 5.5 A, Vds=20 V, 6引脚 MCPH封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MCH6421-TL-E
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0951
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W5,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6189
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STF40N65M2, 32 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF40N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5657
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R099CP, 31 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP60R099CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3046
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R099CP, 31 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPW60R099CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3065
  
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• ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET MCH3477-TL-H, 4.5 A, Vds=20 V, 3引脚 MCHP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  MCH3477-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0932
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R099C6, 38 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPA60R099C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8239
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STW40N65M2, 32 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW40N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5727
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK31J60W5,S1VQ(O, 31 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK31J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2331
  
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• Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHP33N60E-GE3, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIHP33N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4471
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STI40N65M2, 32 A, Vds=650 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 99 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STI40N65M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5676
  
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