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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD20N06TM, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FQD20N06TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0980
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STB57N65M5, 42 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB57N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2977
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STI57N65M5, 42 A, Vds=710 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STI57N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3006
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP57N65M5, 42 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP57N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2003
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW57N65M5, 42 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW57N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3015
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STF57N65M5, 42 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STF57N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3002
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP57N65M5, 42 A, Vds=710 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP57N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3009
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIB406EDK-T1-GE3, 5.1 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-75封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIB406EDK-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1247
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQR40N10-25-GE3, 40 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SQR40N10-25-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1453
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB57N65M5, 42 A, Vds=710 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STB57N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2002
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW57N65M5-4, 42 A, Vds=710 V, 4引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STW57N65M5-4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3012
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ATP112-TL-H, 25 A, Vds=60 V, 3引脚 ATPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  ATP112-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0752
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SIA906EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIA906EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1238
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET HUFA76409D3ST, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：最大漏源电阻值 63 mΩ,
• 制造商零件编号：
  HUFA76409D3ST
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  862-9325
  
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