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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4806NT4G, 76 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD4806NT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0529
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK42A12N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5148
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8444_F085, 145 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD8444_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8111
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42E12N1,S1X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK42E12N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2385
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD8444, 145 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD8444
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9100
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807ZPBF, 89 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2807ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2796
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI70P04P4-09, 72 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI70P04P4-09
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6744
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP45N06S4-09, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP45N06S4-09
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6892
  
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• Infineon P沟道 MOSFET 模块 IPP70P04P4-09, 72 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP70P04P4-09
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6965
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 42 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK42A12N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2381
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSC072N03LDG, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSC072N03LDG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9216
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7855TRPBF, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7855TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3893
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI45N06S4-09, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI45N06S4-09
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4679
  
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• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK42E12N1,S1X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK42E12N1,S1X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5157
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 42 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK42A12N1,S4X(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6224
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2807ZSTRLPBF, 89 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 9.4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2807ZSTRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2806
  
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