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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86250, 30 A, Vds=150 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 46 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS86250
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3526
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFI4229PBF, 19 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 46 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFI4229PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3975
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMN34UN,135, 4.9 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 46 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PMN34UN,135
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  725-8414
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7313TRPBF, 6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 46 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7313TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8869
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFP4229PBF, 44 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 46 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP4229PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6998
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN359BN_F095, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 46 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDN359BN_F095
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4162
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB4229PBF, 46 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 46 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB4229PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6942
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86102LZ, 6.6 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 46 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDT86102LZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9194
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN050-80PS, 22 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 46 mΩ,
• 制造商零件编号：
  PSMN050-80PS
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  798-2883
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD20N06T4G, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 46 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTD20N06T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1008
  
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