规格:最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P04P4-05, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
制造商零件编号:
IPI80P04P4-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6808
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP052NE7N3GHKSA1, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
制造商零件编号:
IPP052NE7N3GHKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6845
搜索
Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IPP80P04P4-05, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
制造商零件编号:
IPP80P04P4-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7012
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR6225PBF, 100 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR6225PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7293
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD031N06L3G, 100 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
制造商零件编号:
IPD031N06L3G
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9162
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
规格:最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
制造商零件编号:
IPI120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4672
搜索
Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET IPP120P04P4L-03, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
制造商零件编号:
IPP120P04P4L-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6883
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD86540, 50 A, 136 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
制造商零件编号:
FDD86540
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9133
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH7185TRPBF, 123 A, Vds=100 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
制造商零件编号:
IRFH7185TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
872-4186
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP039N04L G, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
制造商零件编号:
IPP039N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
892-2330
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR6225TRPBF, 100 A, Vds=20 V, 3针+焊片 DPAK封装
规格:最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR6225TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5102
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4654DY-T1-GE3, 28 A, Vds=25 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 5.2 mΩ,
制造商零件编号:
SI4654DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3246
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