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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2905, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR2905
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4356
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR2905TRPBF, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR2905TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3357
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFIB41N15DPBF, 41 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFIB41N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5022
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLL2705PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4788
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFIZ34NPBF, 21 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9743
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705PBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR2705PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0557
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ34N, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ34N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1875
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7726TRPBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7726TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3871
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB260NPBF, 56 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB260NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3938
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP260MPBF, 50 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP260MPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4013
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2905TRPBF, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR2905TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4802
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9761
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2703PBF, 24 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL2703PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-2177
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRF7404PBF, 6.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7404PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9383
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NSPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ34NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0103
  
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• Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPD25N06S2-40, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD25N06S2-40
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8973
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB260NPBF, 56 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFB260NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5780
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFZ34NPBF, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFZ34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4766
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLL2705PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  540-9907
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP260NPBF, 50 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP260NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9771
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL2910STRLPBF, 55 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL2910STRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3290
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP260NPBF, 50 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP260NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-5019
  
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