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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP36NF06FP, 18 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  STP36NF06FP
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-2278
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4936CDY-T1-GE3, 5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4936CDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3370
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR2905, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRLR2905
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  760-4356
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET BUZ11_NR4941, 30 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  BUZ11_NR4941
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  761-3515
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH70N20Q3, 70 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IXFH70N20Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1392
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI4286DY-T1-GE3, 7 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  SI4286DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3211
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  TK62N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6255
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR2905TRPBF, 42 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR2905TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3357
  
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• Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK62N60W,S1VF(S, 62 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  TK62N60W,S1VF(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2417
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFIB41N15DPBF, 41 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFIB41N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5022
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL2705PBF, 5.2 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLL2705PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4788
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STP36NF06L, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  STP36NF06L
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8773
  
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• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP62N15P, 62 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IXTP62N15P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-316
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STD20NF06T4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  STD20NF06T4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  102-3533
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STS6NF20V, 6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  STS6NF20V
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-8386
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFIZ34NPBF, 21 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFIZ34NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9743
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR2705PBF, 28 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR2705PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0557
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN306P, 2.6 A, Vds=12 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDN306P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0416
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA55N25, 55 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FQA55N25
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4948
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86104, 39 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS86104
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4857
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86324, 30 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMC86324
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6311
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFZ34N, 29 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRFZ34N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1875
  
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• Fuji Electric Super J-MOS 系列 N沟道 Si MOSFET FMW79N60S1HF, 68 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  FMW79N60S1HF
  品牌：
  Fuji Electric
  库存编号：
  772-9010
  
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• STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL6N2VH5, 6 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  STL6N2VH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7699
  
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• STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STR2N2VH5, 2.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：最大漏源电阻值 40 MΩ,
• 制造商零件编号：
  STR2N2VH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7876
  
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