品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405PBF, 169 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRF1405PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1099
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF2907ZLPBF, 170 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRF2907ZLPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8816
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP4110PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP4110PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6995
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB8748PBF, 92 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRLB8748PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9329
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP80P03P4-05, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IPP80P03P4-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7019
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9310PBF, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-4026
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405SPBF, 131 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRF1405SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
628-1744
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7834PBF, 19 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7834PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4104
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5304TR2PBF, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRFH5304TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9290
查看其他仓库
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP2907PBF, 209 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP2907PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3865
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4110PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRFB4110PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-578
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8736PBF, 18 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRF8736PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-619
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP2907PBF, 209 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP2907PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1500
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7842PBF, 18 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRF7842PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6879
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4010PBF, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS4010PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7080
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3114ZPBF, 130 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRLR3114ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7210
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P03P4-05, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IPI80P03P4-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6791
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405ZS-7PPBF, 150 A, Vds=55 V, 7引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRF1405ZS-7PPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-669
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3207PBF, 180 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRFS3207PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
651-8901
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP2907ZPBF, 170 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRFP2907ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6976
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9310PBF, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRF9310PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
725-9234
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1405PBF, 169 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Infineon,规格:最大漏源电阻值 5 mΩ,
制造商零件编号:
IRF1405PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3831
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