规格:最大漏源电阻值 4.3 MΩ,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ035N03MS G, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
规格:最大漏源电阻值 4.3 MΩ,
制造商零件编号:
BSZ035N03MS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5358
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLS4030, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:最大漏源电阻值 4.3 MΩ,
制造商零件编号:
AUIRLS4030
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9256
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB8441_F085, 80 A, Vds=40 V, 2针+焊片 TO-263AB封装
规格:最大漏源电阻值 4.3 MΩ,
制造商零件编号:
FDB8441_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7997
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRFH5204TR2PBF, 22 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
规格:最大漏源电阻值 4.3 MΩ,
制造商零件编号:
IRFH5204TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
737-7265
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7572S, 105 A, Vds=25 V, 8引脚 Power 56封装
规格:最大漏源电阻值 4.3 MΩ,
制造商零件编号:
FDMS7572S
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6339
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK72E08N1, 157 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 4.3 MΩ,
制造商零件编号:
TK72E08N1
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5109
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMS4920NR2G, 17 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:最大漏源电阻值 4.3 MΩ,
制造商零件编号:
NTMS4920NR2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1077
搜索
STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si N沟道 MOSFET STP120N4F6, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 4.3 MΩ,
制造商零件编号:
STP120N4F6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
877-2955
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Vishay SkyFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIR788DP-T1-GE3, 60 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:最大漏源电阻值 4.3 MΩ,
制造商零件编号:
SIR788DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9349
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STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STP140N8F7, 90 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
规格:最大漏源电阻值 4.3 MΩ,
制造商零件编号:
STP140N8F7
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7810
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN4R3-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:最大漏源电阻值 4.3 MΩ,
制造商零件编号:
PSMN4R3-30PL
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2962
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