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• Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 74 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5135
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS5443T1G, 4.9 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
  
  规格：最大漏源电阻值 74 mΩ,
• 制造商零件编号：
  NTHS5443T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-1055
  
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• Fairchild Semiconductor UltraFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD3672_F085, 44 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 74 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDD3672_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8076
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 74 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2363
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP60R074C6, 58 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 74 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP60R074C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7563
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI3457CDV-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 74 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SI3457CDV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3298
  
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• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSL307SP, 5.5 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：最大漏源电阻值 74 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSL307SP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2793
  
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• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：最大漏源电阻值 74 mΩ,
• 制造商零件编号：
  TK39J60W5,S1VQ(O
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6214
  
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