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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404ZSPBF, 190 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1404ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8759
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2907ZS-7PPBF, 180 A, Vds=75 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF2907ZS-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8844
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP038AN06A0, 17 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP038AN06A0
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4774
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP200NF03, 120 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STP200NF03
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5289
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8734PBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF8734PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6891
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3077PBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP3077PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6970
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFS3306PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7077
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR466DP-T1-GE3, 28 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SIR466DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3406
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404, 202 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1404
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1756
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404SPBF, 162 A, Vds=40 V, 4引脚 SMD-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1404SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-0271
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17553Q5A, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  CSD17553Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4861
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL3713PBF, 260 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL3713PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3293
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR7843PBF, 161 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR7843PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3388
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL1404SPBF, 160 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL1404SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5000
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404LPBF, 162 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1404LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3815
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404LPBF, 162 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF1404LPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-0822
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7832PBF, 20 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRF7832PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  639-1885
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFP3306PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6982
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7833PBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL7833PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7193
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL7833SPBF, 150 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRL7833SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7197
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3717PBF, 120 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLR3717PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7226
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS8025S, 109 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDMS8025S
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4838
  
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• STMicroelectronics STripFET V 系列 N沟道 Si MOSFET STL100N1VH5, 100 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  STL100N1VH5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9635
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP90N06S4-04, 90 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP90N06S4-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7034
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDP8870, 19 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：最大漏源电阻值 4 mΩ,
• 制造商零件编号：
  FDP8870
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4869
  
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