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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML5103TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  302-038
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP08N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8794
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP07N65C3XKSA1, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP07N65C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8797
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103GTRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML5103GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  864-1012
  
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• Infineon CoolMOS P6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600P6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD60R600P6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7298
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPD60R600E6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD60R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7330
  
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• Infineon CoolMOS E6 系列 N沟道 Si MOSFET IPP65R600E6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP65R600E6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7608
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRLML5103TRPBF, 760 mA, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML5103TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4744
  
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• Infineon 双 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IRFI4024H-117P, 11 A, Vds=55 V, 5引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFI4024H-117P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3214
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP08N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8790
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR220NPBF, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR220NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2216
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA07N60C3, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPA07N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8460
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPI08N50C3XKSA1, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPI08N50C3XKSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8750
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R600C6, 7.3 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPP60R600C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2260
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPU07N60C3, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-251封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPU07N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7309
  
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• Infineon HEXFET 系列 P沟道 Si MOSFET IRLML6302PBF, 780 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRLML6302PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  610-6851
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPA08N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8463
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD07N60C3, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPD07N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8498
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD08N50C3, 7.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPD08N50C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3184
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSD235NH6327XT, 950 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  BSD235NH6327XT
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0115
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 N沟道 Si MOSFET IPI65R600C6, 7.3 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-262封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPI65R600C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6735
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR220NPBF, 5 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IRFR220NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3875
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPP07N60S5, 7.3 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  SPP07N60S5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  354-6363
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD60R600C6, 7.3 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  品牌：Infineon,规格：最大漏源电阻值 600 mΩ,
• 制造商零件编号：
  IPD60R600C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8366
  
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